型号 | SPD11N10 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK |
SPD11N10 PDF | |
代理商 | SPD11N10 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
标准包装 | 2,500 |
系列 | SIPMOS® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 170 毫欧 @ 7.8A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 21µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18.3nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
功率 - 最大 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | P-TO252-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP000013847 SPD11N10INTR SPD11N10XT SPD11N10XT-ND |